17

 

Samsung Electronics, lider global în tehnologia avansată de memorie, a anunțat astăzi că a început livrarea primelor mostre din industrie HBM4E cu 12 straturi către clienți globali importanți, consolidându-și poziția de lider pe piața HBM de nouă generație.

 

După prima producție în serie și livrare comercială din industrie a HBM4, lider în industrie, la începutul acestui an, Samsung își extinde acum planul de dezvoltare HBM cu introducerea eșantioanelor HBM4E, răspunzând cerințelor în rapidă evoluție ale calculului AI și infrastructurii hyperscale.

 

„După producția în serie de succes a HBM4, Samsung și-a demonstrat încă o dată avantajul tehnologic distinct cu HBM4E”, a declarat Sang Joon Hwang, Vicepreședinte Executiv și and Head of Memory Development la Samsung Electronics. „Prin capacitățile noastre avansate de producție și investițiile preventive în infrastructură, vom continua să stimulăm creșterea pieței globale a memoriilor pentru AI.”

 

HBM4E de la Samsung oferă o viteză stabilă de 14 gigabiți pe secundă (Gbps), cu performanțe scalabile până la 16 Gbps pentru a susține cerințele din ce în ce mai intense de procesare a datelor. Aceasta reprezintă o creștere de peste 20% față de HBM4, oferind în același timp o lățime de bandă de memorie de până la 3,6 terabiți pe secundă (TB/s) per stivă, contribuind la maximizarea performanței de calcul pentru modelele lingvistice de mari dimensiuni (LLM) și sistemele AI de nouă generație.

 

HBM4E cu 12 straturi de la Samsung este oferit cu o capacitate de 48 GB, ceea ce reprezintă o creștere de peste 30% față de generația anterioară, existând planuri de extindere a gamei pentru a include configurații de 32 GB (8 straturi) și 64 GB (16 straturi), în conformitate cu cerințele clienților.

 

HBM4E se distinge prin faptul că profită la maximum de capacitățile cuprinzătoare ale Samsung în domeniul semiconductorilor și valorifică aceleași tehnologii de vârf perfecționate prin experiența companiei în producția de HBM4 Acesta include cel mai avansat proces de fabricație DRAM din clasa de 10 nanometri (nm) de generația a 6-a (1c) din industrie și logic base die-ul de 4nm al Samsung Foundry, permițându-i memoriei HBM4E să asigure o stabilitate îmbunătățită a procesului și o manufacturabilitate superioară.

 

Optimizarea proiectării și a procesului atât în arhitecturile de memorie, cât și în cele logice ale HBM4E de la Samsung îmbunătățește, de asemenea, performanța, eficiența energetică și randamentul.

 

În special, tehnologiile avansate de proiectare cu consum redus de energie și structurile optimizate de ambalare au îmbunătățit eficiența energetică cu 16% și caracteristicile de rezistență termică cu peste 14% față de generația anterioară. Aceste îmbunătățiri permit, de asemenea, o disipare mai eficientă a căldurii, asigurând o fiabilitate prelungită și un consum redus de energie în centrele de date de nouă generație cu sarcini de lucru intense.

 

Samsung intenționează să înceapă producția în serie pentru HBM4E în conformitate cu programele clienților, după livrările inițiale de mostre și optimizare.

 

Feedback-ul clienților globali cu privire la HBM4 de la Samsung, lansat în februarie, a fost extrem de pozitiv, în special în ceea ce privește performanța și eficiența energetică. HBM4 a fost primul din industrie care a intrat în producția în serie și a stabilit cu succes standardul pentru industrie, cu viteze de 11,7 Gbps în testele sale de sistem în pachet (SiP).

 

Pe măsură ce aprovizionarea stabilă cu HBM4 de la Samsung continuă să crească, se preconizează că cel mai recent HBM4E al companiei, care utilizează aceeași combinație de nucleu și base die, va intra în producția de masă pentru a accelera și mai mult inovarea în sistemele AI de nouă generație. Cu portofoliul său cuprinzător care acoperă memoria, turnătoria, proiectarea logică și ambalarea avansată, Samsung va continua să asigure o aprovizionare stabilă cu semiconductori pentru piața AI în plină expansiune.